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提出一种内嵌横向PNP晶体管的静电放电(ESD)双向防护器件(PNP_DDSCR). 对新结构器件在不同ESD应力模式下的响应过程以及电流输运机制进行研究, 内嵌横向PNP晶体管的引入, 提高了DDSCR系统内部寄生晶体管的注入效率, 促进正反馈系统建立, 同时引入两条新的电流泄放通路, 抑制电导调制效应, 提高了电流泄放能力. 结果表明, 与传统的DDSCR器件相比, PNP_DDSCR器件在传输线脉冲(TLP)测试仿真中触发电压下降了31%, 维持电压提高了16.8%, ESD设计窗口优化44.5%, 具有更低的导通电阻. 快速传输线脉冲(VF-TLP)测试仿真结果表明, 新结构器件对瞬态过冲电压有更好的钳位能力, 同时保持了较大的开启速度, 在VF-TLP应力0.1 A时, PNP_DDSCR器件的过冲电压仅为DDSCR器件的37%.

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《内嵌横向PNP晶体管的新型静电放电双向防护器件》

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文件号：296324

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