如需要完整文档点击下方 "点击下载文档" 按钮
提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由6.3 V下降到4.4 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。
如需要完整文档点击下方 "点击下载文档" 按钮
《一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件》
将 完整文档 下载到本地,方便收藏和查阅
文件号:261587
点击下载文档