如需要完整文档点击下方 "点击下载文档" 按钮

传统DDSCR器件过低的维持电压容易造成闩锁效应。提出了一种新型DDSCR,在传统器件阳极与阴极之间加入了浮空高掺杂的N+与P+有源区,通过P+有源区复合阱内的电子,N+有源区将电流通过器件深处电阻较低SCR路径泄放的方式来解决传统器件维持电压过低的问题,提高器件抗闩锁能力。基于TCAD的仿真结果表明,与传统DDSCR相比,新型器件的维持电压从2.9 V提高到10.5 V,通过拉长关键尺寸D7,可将器件维持电压进一步提高到13.7 V。该器件适用于I/O端口存在正负两种电压的芯片防护。

如需要完整文档点击下方 "点击下载文档" 按钮

《一种高维持电压的新型闩锁免疫双向可控硅》

将 完整文档 下载到本地，方便收藏和查阅

文件号：261323

点击下载文档