如需要完整文档点击下方 "点击下载文档" 按钮

砷化镍型MnTe化合物是一类重要的环境友好p型中温热电材料. 低空穴浓度是制约MnTe热电材料性能优化的关键因素, 目前对于MnTe热电材料的性能优化缺乏系统的实验研究. 本文采用分子束外延技术制备MnTe薄膜, 并用扫描隧道显微镜表征其本征点缺陷, 最终通过本征点缺陷的调控实现了MnTe的电输运性能大幅优化. 结果表明, Mn空位(VMn)和Te空位(VTe)是MnTe薄膜的主要本征点缺陷结构. 随着薄膜生长温度(Tsub)的提高或Mn∶Te束流比的降低, MnTe薄膜的空穴浓度得到了大幅提升, 最高空穴浓度可达21.5 ×1019 cm–3, 比本征MnTe块体获得的数值高一个数量级. 这归因于MnTe薄膜中p型VMn浓度的显著增加, 并引起电导率和功率因子的显著提升. 最后, 在Tsub = 280 ℃以及Mn∶Te = 1∶12条件下生长的MnTe薄膜获得了所有样品中最高的热电功率因子, 在483 K达到1.3 μW·cm–1·K–2. 本研究阐明了MnTe中存在的本征点缺陷结构特征及其调控电输运的规律, 为进一步优化MnTe材料的空穴浓度和电输运性能提供了借鉴.

如需要完整文档点击下方 "点击下载文档" 按钮

《MnTe单晶薄膜的外延制备、本征点缺陷结构及电输运优化》

将 完整文档 下载到本地，方便收藏和查阅

文件号：296732

点击下载文档