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GaN基半导体在光电子、电子器件已具有重要应用, 如何结合其良好的电学特性进行其他应用方面的理论或实验探索, 是当前新的研究课题. 本文利用 SCAPS-1D软件从理论上计算了GaN在FTO/GaN/ (FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15/HTL电池结构中电子传输的理论机制. 结果表明, 引入GaN后, 电池的开路电压, 转换效率明显提高. 通过进一步分析准费米能级分裂、界面电场、界面复合率、耗尽层厚度等因素的变化规律, 分析了GaN的厚度和掺杂浓度对电池开路电压等器件参数的影响, 并从GaN作为电子传输层的物理机制方面进行了讨论.

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《GaN基半导体在改变钙钛矿太阳能电池性能方面的理论分析》

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文件号：295881

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