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摘要： GaN 基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质，是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系，也是发展高效节能功率电子器件的主要材料体系之一，在半导体自旋电子学器件上亦有潜在的应用价值。GaN 基异质结构材料、物理与器件研究已成为当前国际上半导体科学技术的前沿领域和研究热点。本文从GaN 基异质结构的外延生长、物理性质及其电子器件应用三个方面对国内外该领域近年来的研究进展进行了系统的介绍和评述，并简要介绍了北京大学在该领域的研究进展。

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《GaN 基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用》

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文件号：295753

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