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摘要： 探讨利用蒙特卡罗 (Monte Carlo, MC) 法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀的仿真，实现连续多次掩模，多步硅微加工工艺过程的仿真。介绍MC法的使用特点及其在湿法腐蚀硅微加工中的应用，仿真使用腐蚀概率方程确定表面原子适当的MC转移概率，模拟方法支持氧化硅和氮化硅掩模层作用下的各向异性腐蚀加工和多次掩模的传递过程。编制的仿真程序通过模拟一个原子力显微镜探针阵列多掩模连续6步工艺的硅微加工过程验证了MC法的正确性。

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《多次掩模湿法腐蚀硅微加工过程的蒙特卡罗仿真》

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文件号：304571

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