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本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching, UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究. 结果表明, 不同于平面功率MOSFET器件失效机理, 在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损坏, 导致了器件失效. 测量失效器件的栅泄漏电流和电阻, 发现栅泄漏电流急剧增大, 电阻仅为25 Ω; 失效器件的阈值电压稳定不变. 使用TCAD软件对雪崩状态下的器件电场分布进行仿真计算发现, 最大电场位于栅极沟槽底拐角处, 器件内部最大结温未超过电极金属熔点, 同时也达到了理论与仿真的吻合.

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《非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC 功率MOSFET失效机理研究》

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文件号：296735

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