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鉴于实验上最新合成的二维半导体材料WSi2N4(WSN)和二维金属材料MoSH(MSH), 构建了金属-半导体MSH/WSN肖特基结. 在实际的金属-半导体接触应用中, 肖特基势垒的存在严重降低了器件的性能. 因此, 获得较小的肖特基势垒甚至是欧姆接触至关重要. 本文使用第一性原理计算研究了在外电场和双轴应变作用下MSH/WSN肖特基结势垒的变化. 计算结果表明, 外电场和双轴应变均可以有效地调控MSH/WSN肖特基结势垒. 正向外电场能实现MSH/WSN肖特基结p型与n型肖特基接触之间的动态转化, 而负向外电场可实现MSH/WSN肖特基结向欧姆接触的转化. 此外, 较大的双轴应变可实现MSH/WSN肖特基结p型与n型肖特基接触的相互转化. 此项工作为基于WSN半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管提供理论指导.
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《外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控》
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文件号：296396
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