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SiO2/聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene, PTFE)复合介质材料的热膨胀系数和介电常数主要受到SiO2填充量的影响, 如何准确预测其影响至今仍是一个很大的挑战. 本文通过数值模拟系统地研究SiO2/PTFE复合介质材料的热膨胀系数和介电常数. 结果表明, 随着SiO2填充量的增加, SiO2/PTFE复合介质材料的热膨胀系数降低, 介电常数增加, 且与文献报道数据取得良好的一致性(Han K K, Zhou J, Li Q Z, Shen J, Qi Y Y, Yao X P, Chen W 2020 J. Mater. Sci. Mater. Electron. 31 9196). 研究发现, 实心SiO2球(体积分数为30%)/PTFE复合介质材料的热膨胀系数最小, 为7.5×10–5 K–1; 而空心SiO2球(体积分数为10%)/PTFE的介电常数最小, 为2.06. 由于底部的实心SiO2球充当支撑作用, 底部实心SiO2球较密集的实心SiO2/PTFE复合介质材料具有更低的热膨胀系数. SiO2填料的大长径比会降低SiO2/PTFE复合介质材料的热膨胀系数. 成型工艺对实心SiO2/PTFE复合介质材料的热膨胀系数几乎没有影响. 该工作为通过调控SiO2/PTFE复合介质材料的微观结构来控制其热膨胀系数和介电常数提供清晰的思路.