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SrSnO3是一种钙钛矿结构的宽带隙半导体, 透明性高、无毒且价格低廉, 是一种有前景的透明导电氧化物的候选者. 本文通过第一性原理计算, 获得了SrSnO3的电子结构, 着重讨论了SrSnO3的本征缺陷、外界元素掺杂的缺陷形成能及过渡能级, 筛选出适宜的掺杂元素并指出了对应的实验制备环境, 进一步根据带边能量位置对其电导性能机制进行了探讨. 计算结果表明, SrSnO3是一种基础带隙为3.55 eV、光学带隙为4.10 eV的间接带隙半导体, 具有良好的透明性, 电子的有效质量轻, 利于n型电导. 在富金属贫氧条件下, As, Sb掺杂SrSnO3可以提升n型电导率; SrSnO3的价带顶位于–7.5 eV处, 导带底位于–4.0 eV处, 其价带顶和导带底的能量位置均相对较低, 解释了其易于n型掺杂而难于p型掺杂, 符合宽带隙半导体材料的掺杂规律. 最后, Sb掺杂SrSnO3被提出为有前景的廉价n型透明导电材料.
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《SrSnO3作为透明导电氧化物的第一性原理研究》
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文件号：296210
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