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极紫外光刻技术是我国当前面临35项“卡脖子”关键核心技术之首. 高极紫外光转换效率和低离带热辐射的激光等离子体极紫外光源是极紫外光刻系统的重要组成部分. 本文通过采用激光作用固体Sn和低密度SnO2靶对极紫外光源以及其离带热辐射进行研究. 实验结果表明, 两种形式Sn靶在波长为13.5 nm附近产生了强的极紫外光辐射. 由于固体Sn靶等离子体具有较强自吸收效应, 在光刻机中心工作波长13.5 nm处的辐射强度处于非光谱峰值位置. 而低密度SnO2靶具有较弱的自吸收效应, 其所辐射光谱的峰值恰好位于13.5 nm处. 相比于固体Sn靶, 低密度SnO2靶中处于激发态的Sn离子发生跃迁所产生的伴线减弱, 使其在13.5 nm处的光谱效率提升了约20%. 另一方面, 开展了极紫外光源离带热辐射(400—700 nm)的实验研究, 光谱测量结果表明离带热辐射主要是由连续谱所主导, 低密度SnO2靶中含有部分低Z元素O(Z = 8), 导致其所形成的连续谱强度低, 同时离带辐射时间短, 因而激光作用低密度SnO2靶所产生的离带热辐射弱于固体Sn靶情况. 离带热辐射角分布测量结果表明, 随着与靶材法线夹角逐渐增加, 离带热辐射强度逐渐减弱, 且辐射强度与角度满足\begin{document}$ A{\cos ^\alpha }\heta $\end{document} 的关系.
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《低密度SnO2靶激光等离子体极紫外光及离带热辐射》
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文件号：296024
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