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光电耦合器的核心模块是光电探测芯片。介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计，该电路基于0.5 μm标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺研制，内部包含跨阻放大器(TIA)、基准源和比较器等模块电路，并通过电路结构和版图设计进行抗辐照加固。测试结果表明，抗总剂量能力达到200 krad(Si)，同时，该芯片数据传输速率可达10 MBd，其输入高电流范围为6~18 mA。

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《一种抗辐照的光电探测芯片设计》

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文件号：047216

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