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针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO2栅介质，开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO2栅介质MOS电容为研究对象，进行不同栅极偏置条件下60Co-γ射线的电离总剂量辐照试验，对比辐照前后MOS电容的电流-电压、电容-电压以及经时击穿特性的测试结果。结果显示，不同的辐照偏置条件下，MOS电容的损伤特性不同。正偏辐照下，低栅压下的栅电流显著增大，电容电压特性的斜率降低；零偏辐照下，正向高栅压时栅电流和电容均显著增大；负偏辐照下，栅电流均有增大，正向高栅压下电容增大，且电容斜率降低。3种偏置下，电容的经时击穿电压均显著减小。该研究为纳米MOS器件在辐射环境下的长期可靠性研究提供了参考。
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《电离总剂量效应对HfO2栅介质经时击穿特性影响》
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文件号：046428
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