基于TSV工艺的三维FPGA热分析

时间:2023-09-08 00:52:48
作者:黄俊英,张 超,林 郁,孙嘉斌,杨海钢
关键字:三维现场可编程门阵列,有限元模型,硅通孔,堆叠层数
DOI:10.11805/TKYDA201702.0302
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为探索三维现场可编程门阵列(FPGA)芯片温度的影响因素,提出一种三维FPGA有限元仿真模型。首先,利用商业有限元软件构建基于硅通孔(TSV)、微凸块、倒装焊共晶焊球、无源硅中介层、焊球阵列(BGA)焊球和印制电路板(PCB)的模型。然后,利用该模型从定性和定量的角度对不同TSV数目及堆叠层数的三维FPGA芯片进行温度分析。实验发现,底层芯片到顶层芯片的平均温度呈递增趋势,且各层芯片的平均温度随TSV数目的减少和堆叠层数的增加而升高。实验结果与已发表文献中的结果一致,表明提出的仿真模型在分析芯片温度的影响参数方面的可行性。

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基于TSV工艺的三维FPGA热分析
《基于TSV工艺的三维FPGA热分析》
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