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采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide, IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide, HAO)绝缘层薄膜, 并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched, BCE)IZTO薄膜晶体管(thin-film transistor, TFT)像素阵列. 利用N2O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态, 提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能, 特别是光照负偏压稳定性. 结果表明, 经N2O等离子体处理后, 器件饱和迁移率提升了接近80%, 达到51.52 cm2·V–1·s–1. 特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V, 满足显示驱动的要求. 这进一步说明经N2O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.

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《高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT》

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文件号：296742

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