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通过数值计算, 研究了强短波(\begin{document}$ 400—600{\ext{ nm}} $\end{document})激光场中\begin{document}${\ext{H}}_2^+$\end{document}分子高次谐波辐射的椭偏率性质. 研究表明, \begin{document}${\ext{H}}_2^+$\end{document}分子在不同激光强度、不同激光波长、不同核间距及不同取向角下高次谐波的椭偏率性质是不同的; 特别是在两中心干涉区, 激发态在高次谐波产生中起着重要作用, 但在不同取向角下, 激发态对谐波椭偏率的影响不同; 分析表明, 这些不同的影响源于沿平行和垂直于激光偏振方向辐射的高次谐波的相对产量, 以及激发态对平行和垂直谐波产量的影响; 此外, 椭偏率的测量检验了强场近似和平面波近似在强短波激光场中是成立的, 并对强短波激光场中分子动力学做了更充分的研究.