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研究了4H-SiC浮动结(FJ)结势垒肖特基(JBS)二极管的设计方法。提出在上外延层厚度一定的情况下得到外延层最佳掺杂浓度，然后以器件的功率优值(BFOM值)为依据确定出最佳下外延层厚度，进而设计出浮动结和表面结的最佳结构参数。否定了文献中认为浮动结位于器件中部为最佳设计的结论。仿真结果表明浮动结和表面结线宽比不仅影响器件导通特性，还会影响反向特性。浮动结线宽比在一定范围内会略微影响器件击穿电压，而表面结线宽比主要影响器件的反向泄漏电流。

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《4H-SiC浮动结JBS器件的设计方法》

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文件号：047184

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